První paměťový čip vyráběný „jednociferným“ procesem je na světě. Funkční DRAM postavená na technologii Vertical Channel Transistor ukazuje technologické směřování nadcházející generace pamětí…

Zdroj: https://diit.cz/clanek/samsung-prolomil-10nm-hranici-s-novymi-4f-bunkami-chce-50-zvysit-denzitu-ram